4 дюйма арсенид галлия 2 GaAs10 * 10 мм полупроводниковый материал IC фотофонический



Сохраните в закладки:

Цена:1 414,19 - 11 012,78RUB
*Стоимость могла изменится

Количество:


Новое поступление

Характеристики

4 дюйма арсенид галлия 2 GaAs10 * 10 мм полупроводниковый материал IC фотофонический

История изменения цены

*Текущая стоимость 1 414,19 - 11 012,78 уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"

Месяц Минимальная цена Макс. стоимость Цена
Apr-03-2026 1683.59 руб. 1767.34 руб. 1725 руб.
Mar-03-2026 1669.53 руб. 1752.66 руб. 1710.5 руб.
Feb-03-2026 1400.84 руб. 1470.30 руб. 1435 руб.
Jan-03-2026 1640.26 руб. 1722.69 руб. 1681 руб.
Dec-03-2025 1428.53 руб. 1499.11 руб. 1463.5 руб.
Nov-03-2025 1612.80 руб. 1693.43 руб. 1652.5 руб.
Oct-03-2025 1598.48 руб. 1678.70 руб. 1638 руб.
Sep-03-2025 1584.21 руб. 1663.68 руб. 1623.5 руб.
Aug-03-2025 1570.2 руб. 1649.4 руб. 1609.5 руб.

Описание товара

4 дюйма арсенид галлия 2 GaAs10 * 10 мм полупроводниковый материал IC фотофонический4 дюйма арсенид галлия 2 GaAs10 * 10 мм полупроводниковый материал IC фотофонический4 дюйма арсенид галлия 2 GaAs10 * 10 мм полупроводниковый материал IC фотофонический4 дюйма арсенид галлия 2 GaAs10 * 10 мм полупроводниковый материал IC фотофонический4 дюйма арсенид галлия 2 GaAs10 * 10 мм полупроводниковый материал IC фотофонический


Параметры продукта

Тип товара: полупроводниковый Метод роста: VGF Тип проводимости: N Диаметр: 50,5 ± 0,1 мм С украшением в виде кристаллов направленности: (100) 15 ° ± 0,5 ° видневшуюся (111) Сопротивление: (0,8-9) X10-3 Мобильность: >1000 Плотность дислокации: ≤ 5000 TTV: 350 ± 10 TIR: ≤ 10 Бант: ≤ 10 Коническое зубчатое колесо: 0,25 Гранулярность: <50 (размер> 0,3 мкм, количество/вафель) Полировка: одиночная полировка


Смотрите так же другие товары: