2SC4160 C4160 TO-220F new original 10 шт./лот | Электронные компоненты и принадлежности
424.85
Новое поступление
20 шт. 2SC2655 TO-92 C2655 TO92 C2655-Y 2SC2655-Y | Электронные компоненты и принадлежности
32.89
6 шт./лот TIP147T TIP147 TO-220 транзистор PNP Darlington новая Оригинальная фотография |
86,58 руб. / набор
10 шт./лот BF998R SOT143 BF998 SOT-143 SOT SMD новый МОП-транзистор | Электронные компоненты и
69.8
IRFP4868PBF IRFP4868 TO-247 Новый и оригинальный 5 шт./лот | Электронные компоненты
2359.53
50 шт. транзистор AO3400 SOT23 AO3400A SOT-23 A09T SOT new MOS FET | Электронные компоненты и
41.45
10 шт./лот 2SC2078 C2078 ETO220 TO-220 Мощный транзистор новый оригинальный чипсет IC в наличии |
129,77 руб. / набор
100 pcs BAS19 BAS19-V-GS08 A8 BAS19VGS08 SOT-23 SOT23 marking ZJ | Электронные компоненты и принадлежности
216.19
Характеристики
10 шт. IRF1010EPBF TO220 IRF1010-220 IRF1010E F1010E IRF1010N | Электронные компоненты и принадлежности
История изменения цены
*Текущая стоимость 120,53 / набор уже могла изменится. Что бы узнать актуальную цену и проверить наличие товара, нажмите "Добавить в корзину"
| Месяц | Минимальная цена | Макс. стоимость | Цена |
|---|---|---|---|
| Apr-04-2026 | 143.75 руб. | 150.39 руб. | 146.5 руб. |
| Mar-04-2026 | 142.22 руб. | 149.63 руб. | 145.5 руб. |
| Feb-04-2026 | 119.36 руб. | 125.81 руб. | 122 руб. |
| Jan-04-2026 | 139.53 руб. | 146.5 руб. | 142.5 руб. |
| Dec-04-2025 | 121.78 руб. | 127.98 руб. | 124 руб. |
| Nov-04-2025 | 137.70 руб. | 144.1 руб. | 140.5 руб. |
| Oct-04-2025 | 136.6 руб. | 143.35 руб. | 139.5 руб. |
| Sep-04-2025 | 134.73 руб. | 141.60 руб. | 137.5 руб. |
| Aug-04-2025 | 133.30 руб. | 140.84 руб. | 136.5 руб. |
Описание товара
IRF1010EPBF параметр Спецификация:
По ограничению на использование опасных материалов в производстве:
Технология: Si
Стиль установки: сквозное отверстие
Посылка/коробка: to-220-3
Количество каналов: 1 канал
Полярность транзистора: n-канал
Напряжение пробоя источника дренажа VDS: 60 V
Id-непрерывный сливной ток: 81 A
RDS на источник утечки на сопротивление: 12 MOhms
Vgs-сетка-источник напряжения: 20 в
Заряд QG: 86,6 NC
PD рассеиваемая мощность: 170 Вт
Конфигурация: одиночный
Заключение: трубки
Высота: 15,65 мм
Длина: 10 мм
Тип транзистора: 1 n-канал
Ширина: 4,4 мм
Торговая марка: Infineon технологии
Тип продукта: MOSFET
Смотрите так же другие товары: